Transphorm公司成立于2007年，总部位于美国加利福尼亚州戈利塔，是一家专注于氮化镓（GaN）功率半导体设计与制造的企业。公司由加州大学圣塔芭芭拉分校的Umesh Mishra教授等人创立，旨在利用GaN材料的高电子迁移率与高击穿电场特性，突破传统硅基功率器件的性能瓶颈。Transphorm主营产品线覆盖650V与900V的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）及功率级封装模块，并率先获得JEDEC与AEC-Q101车规级可靠性认证。其技术定位为高压、高频、高效功率转换，通过专有的GaN-on-Si外延与增强型器件架构，实现比硅基方案更低的开关损耗与更高的功率密度。在产业链中，Transphorm扮演着从外延片、器件设计到晶圆制造与封装测试的垂直整合角色，既向电源适配器、数据中心、光伏逆变器及电动汽车客户提供分立器件，也通过授权与代工合作扩大产能。作为GaN功率器件领域的早期开拓者，该公司持续推动宽禁带半导体在能效领域的规模化应用。 Transphorm代理